TOSHIBA THNNW04W064E6 - Pamięć Flash

THNNW04W064E6 - Pamięć Flash TOSHIBA - Bezpłatna instrukcja obsługi

Znajdź bezpłatnie instrukcję urządzenia THNNW04W064E6 TOSHIBA w formacie PDF.

📄 64 strony Polski PL Pobierz 💬 Pytanie AI 10 pytania ⚙️ Dane tech.
Notice TOSHIBA THNNW04W064E6 - page 39
Prosze wybrac swoj jezyk i podac email: wyslemy specjalnie przetlumaczona wersje.
Typ produktu Pamięć Flash NAND
Marka Toshiba
Model THNNW04W064E6
Pojemność pamięci 64 GB
Format BGA (Ball Grid Array)
Interfejs Równoległy NAND Flash 8-bitowy
Napięcie zasilania 3,3 V
Pobór mocy 30 mA (odczyt), 20 mA (zapis)
Wymiary 11,5 x 13,0 x 1,0 mm
Waga 0,5 g
Temperatura pracy 0 °C do 70 °C
Temperatura przechowywania -40 °C do 85 °C
Cykl programowania/wymazywania Do 100 000 cykli
Główne funkcje Nieulotne przechowywanie danych, szybki odczyt/zapis
Konserwacja i czyszczenie Brak wymaganej konserwacji, unikać wilgoci
Bezpieczeństwo Zabezpieczony przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD)
Części zamienne i naprawialność Nienaprawialny, element zintegrowany
Informacje ogólne Używany w smartfonach, tabletach i innych kompaktowych urządzeniach

Często zadawane pytania - THNNW04W064E6 TOSHIBA

Jaka jest pojemność tego modułu?
Pojemność pamięci wynosi 64 GB, wystarczająca do zastosowań wbudowanych.
Pod jakim napięciem działa?
Działa pod napięciem 3,3 V, dostosowanym do większości układów logicznych.
Czy może być używany w smartfonie?
Tak, ten moduł pamięci flash Toshiba jest przeznaczony do integracji w urządzeniach mobilnych, takich jak smartfony i tablety.
Jaka jest typowa żywotność?
Obsługuje do 100 000 cykli programowania/wymazywania, zapewniając żywotność odpowiednią do standardowego użytku.
Czy jest kompatybilny z Arduino?
Za pomocą odpowiedniego adaptera lub płytki rozwojowej możliwe jest podłączenie tego modułu do Arduino w celu przechowywania danych.
Jak czyścić ten moduł?
Czyszczenie nie jest wymagane. Unikaj kontaktu z płynami lub rozpuszczalnikami. Obchodź się ostrożnie, aby uniknąć wyładowań elektrostatycznych.
Jaka jest prędkość odczytu?
Szybkość odczytu sekwencyjnego wynosi około 25 MB/s, prędkość zapisu jest nieco niższa.
Czy można go lutować ręcznie?
Nie, ten moduł jest w obudowie BGA (Ball Grid Array) i wymaga zautomatyzowanego procesu lutowania rozpływowego. Ręczne lutowanie mogłoby go uszkodzić.
Jakie są ryzyka utraty danych?
Jak w przypadku każdego nośnika flash, istnieje ryzyko w przypadku nagłego odcięcia zasilania lub zużycia. Zaleca się regularne tworzenie kopii zapasowych ważnych danych.
Gdzie znaleźć pełną instrukcję obsługi?
Pełna instrukcja jest dostępna do bezpłatnego pobrania na stronie notice-facile.com w kilku językach.

Pytania użytkowników dotyczące THNNW04W064E6 TOSHIBA

0 pytanie dotyczące tego urządzenia. Odpowiedz na te, które znasz, lub zadaj własne.

Zadaj nowe pytanie dotyczące tego urządzenia

E-mail pozostaje prywatny: służy tylko do powiadamiania Cię, jeśli ktoś odpowie na Twoje pytanie.

Brak pytań. Zadaj pierwsze pytanie.

Pobierz instrukcję dla swojego Pamięć Flash w formacie PDF za darmo! Znajdź swoją instrukcję THNNW04W064E6 - TOSHIBA i weź swoje urządzenie elektroniczne z powrotem w ręce. Na tej stronie opublikowane są wszystkie dokumenty niezbędne do korzystania z urządzenia. THNNW04W064E6 marki TOSHIBA.

INSTRUKCJA OBSŁUGI THNNW04W064E6 TOSHIBA

Asystent instrukcji
Zasilane przez Anthropic
Oczekiwanie na Twoją wiadomość
Informacje o produkcie

Marka : TOSHIBA

Model : THNNW04W064E6

Kategoria : Pamięć Flash